L'équipement de dépôt de couches minces assisté par ions de la série IA--intègre l'évaporation thermique par faisceau d'électrons-avec une source d'ions Kaufman ou End-Hall. Le bombardement ionique énergétique (mélange argon/oxygène) pendant le dépôt transfère l'élan aux adatomes, éliminant les vides colonnaires, supprimant l'absorption d'humidité et stabilisant les indices de réfraction. Conçue pour la R&D de haute-précision et la production continue, la chambre en acier inoxydable-maintient une pression de base inférieure à 5 x 10^-6 Pa pour fournir des films minces denses et stoechiométriques pour l'optique, les capteurs et les semi-conducteurs.
Spécifications techniques
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Paramètre |
Détails des spécifications |
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Dimensions de la chambre |
Phi 800 mm x 700 mm (personnalisable jusqu'à Phi 1200 mm) |
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Pression de base |
<= 5.0 x 10^-6 Pa (Achieved within 40 minutes from atmosphere) |
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Pression de service |
1,0 x 10^-2 Pa à 8,0 x 10^-1 Pa |
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Sources d'évaporation |
Pistolet électrique multi-poches- (6 x 15 cc ou 4 x 40 cc) avec contrôle de balayage |
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Type de source d'ions |
Kaufman/End-Hall basé sur un réseau - (énergie ionique : 50 - 1500 eV) |
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Appareil de substrat |
Rotation planétaire (0 - 25 RPM) avec chauffage (RT - 350 deg.C) |
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Contrôle de l'épaisseur |
Moniteur à cristaux de quartz double-canal (QCM)/option de surveillance optique |
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Système de pompage |
Turbomoléculaire à lévitation magnétique + Roots + pompe d'appui à palettes rotatives |
Principales fonctionnalités
Densification des microstructures :Le bombardement ionique simultané augmente la densité de tassement proche des valeurs de masse en effondrant les joints de grains.
Contrôle intrinsèque du stress :Les rapports d'arrivée d'ions-à-atomes réglables empêchent le délaminage du film sur les substrats fragiles (silicium, germanium, silice fondue).
Adhérence améliorée :Le pré-nettoyage par gravure ionique élimine les oxydes natifs et les contaminants de surface avant le dépôt.
Automatisation en boucle fermée{{0} :L'architecture PLC automatise le séquençage du vide, l'actionnement de l'obturateur, la montée en puissance et les MFC à gaz.
Isolation thermique :Les parois de la chambre refroidies à l'eau et les écrans anti-radiation protègent les substrats du rayonnement du foyer des faisceaux électroniques.
Configuration du système de vide
Pompe à vide élevée :Pompe turbomoléculaire à sustentation magnétique (1 600 L/s pour N2) pour un fonctionnement sans huile-.
Étape d'ébauche :Palette rotative à entraînement direct-associée à un ventilateur Roots pour un croisement rapide.
Étanchéité et vannes :Vannes pneumatiques avec joints d'étuvage Viton/Métal-.
Verrouillages :Jauges Pirani et à cathode froide intégrées à des circuits de protection contre les surpressions.
Compatibilité des matériaux
Matériaux d'évaporation :
Oxydes (SiO2, Ta2O5, TiO2, Nb2O5)
Fluorures (MgF2, YF3)
Métaux réfractaires (Ti, Cr, Al)
Matériaux de substrat :
Silice fondue, verre optique, ZnSe, plaquettes de silicium, GaAs, acier inoxydable.
Applications
Optique de précision :Revêtements antireflet-, filtres passe-bande et miroirs à haute-réflectivité pour les systèmes de télécommunication laser et DWDM.
Fenêtres IR :Films antireflets protecteurs et durables sur les optiques d'imagerie thermique en germanium et en silicium.
Semi-conducteurs :Films isolants diélectriques et couches de passivation de contact métallique.
Optoélectronique :Couches d'oxyde conductrices transparentes pour réseaux de capteurs et écrans plats.
Options de personnalisation
Géométrie de la chambre :Dimensions d'enveloppe sur mesure pour les gabarits de production spécialisés ou les optiques grand-format.
Intégration des sources :Configurations à double-pistolet électronique, bateaux à résistance thermique ou sources de craquage thermique réactif.
Automation:Progiciels de fabrication légers-conformes SECS/GEM-.
Appareils de substrat :Supports personnalisés pour lentilles incurvées, micro-prismes ou plaquettes de 300 mm.
Contrôle qualité et tests en usine
Normes de conformité :Construit selon les directives des salles blanches CE et SEMI S2/S8.
Détection des fuites :Test au spectromètre de masse à l'hélium sur toutes les soudures (taux de fuite<= 1 x 10^-10 Pa*m^3/s).
Graver- :Fonctionnement à sec continu de 72 heures des traversées mécaniques et des verrouillages.
Vérification de l'homogénéité :Analyse spectrophotométrique vérifiant la répartition de l'épaisseur à +/- 1 % sur le support.
Installation, délai de livraison et support technique
Délai de livraison :Le délai standard de fabrication, de FAT et de mise en caisse est de 16 à 20 semaines à compter de l'approbation technique-et du dépôt.
Préparation du site :Manuel d'utilisation complet fourni au préalable (spécifiant le débit d'eau glacée, la puissance 380 V et l'air comprimé).
Mise en service :Installation, étalonnage et réglage des processus sur-site par des ingénieurs de terrain expérimentés.
Prise en charge du cycle de vie :Pièces de rechange critiques stockées localement (filaments, cristaux de quartz, kits de joints) pour une expédition rapide.
Foire aux questions
Q : Quel est l’intervalle de maintenance de la grille de la source d’ions ?
R : Le nettoyage de la grille et le remplacement du filament ont lieu toutes les 150 à 300 heures de fonctionnement, en fonction des gaz réactifs. Les conceptions à version rapide-permettent des échanges en moins de 30 minutes.
Q : Quel est l'impact du dépôt assisté par ions (IAD) sur les revêtements optiques ?
R : IAD élimine les déplacements d’humidité en effondrant les structures en colonnes. Par exemple, les films SiO2 conservent un indice de réfraction stable de 1,46 dans les environnements humides.
Q : Les processus de gaz réactifs sont-ils gérés en toute sécurité ?
R : Oui. Les contrôleurs de débit massique régulent l'injection d'O2 ou de N2 directement dans la source d'ions, soutenus par des vannes de sécurité à arrêt automatique-et des cycles de purge.
Q : Quelles sont les exigences en matière de services publics ?
A: Chilled cooling water (>= 50 L/min, 18 - 22 deg.C), de l'air comprimé (0.4 - 0.6 MPa) et des alimentations électriques triphasées dédiées.
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