Description de l'équipement :
· Présentation de l'équipement :
L'équipement à couches minces amélioré par plasma est une technologie de revêtement d'ions purs (faisceau d'ions pur), la technologie de nettoyage par faisceau d'ions à haute -énergie (Ionbeam), la technologie de pulvérisation magnétron (Sputter) et le dépôt en phase vapeur par confinement magnétique (confinement magnétique-CVD) sont quatre technologies en une, qui est une fusion parfaite de la technologie PVD et de la technologie CVD.
L'équipement à couches minces amélioré par plasma offre une combinaison de processus plus flexible pour répondre à une variété de besoins de produits complexes, et son processus hybride puissant offre plus de possibilités aux concepteurs de processus.
Équipement à couche mince amélioré par plasma brève introduction des fonctions de l'équipement :
(1) source de revêtement d'ions purs, utilisant un système de filtration électromagnétique efficace, élimine efficacement les particules, obtient un faisceau d'ions de plus grande pureté, aide à améliorer la dureté du revêtement et la force de liaison ;
(2) source de nettoyage par faisceau d'ions à haute énergie, utilisant une structure de décharge spécialement conçue, efficacement compatible avec l'activation du nettoyage au plasma, l'ionisation auxiliaire, le dépôt indépendant et d'autres fonctions ;
(3) La source de pulvérisation magnétron, utilisant une conception de champ magnétique innovante, améliore efficacement le taux d'utilisation cible de plus de 30 % ;
(4) Une source de dépôt en phase vapeur confinée magnétiquement, une structure fiable et facile à entretenir, peut permettre un dépôt de revêtement rapide et fin.
Types de revêtements typiques :
(1) Me-TAC, revêtement composite TAC métallique, largement utilisé
(2) Me-DLC, revêtement composite DLC métallique, largement utilisé
(3) Les revêtements composites Me-TAC-DLC, TAC-DLC, tout en obtenant une dureté de base et une force de liaison plus élevées du TAC, ont la vitesse de dépôt et l'apparence fine du DLC.
· Avantages de l'équipement :
L'équipement à couches minces amélioré par plasma》peut réaliser la combinaison de TAC-DLC, ce qui améliore considérablement la force de liaison par rapport au simple CVD, tout en réduisant la taille des particules du PVD et en raccourcissant le temps de traitement.
L'équipement à couche mince amélioré par plasma》peut réaliser une variété de processus de dépôt de film C, de placage d'ions purs TAC, de décharge de confinement magnétique DLC, de placage de source d'ions de couche d'anode DLC, etc.
L'équipement à couche mince amélioré par plasma》est équipé d'un dispositif et d'un logiciel de balayage électromagnétique, qui peuvent contrôler la direction du faisceau du plasma à un point et à un moment fixes, améliorant considérablement le problème de l'uniformité du revêtement, et l'uniformité de l'ensemble de la couche de film du four est contrôlée en dessous de ± 5 % ;》Conception de champ magnétique et conception de refroidissement optimisées, entretien facile, bonne stabilité de l'équipement;
express Interface homme-machine conviviale, enregistrement-en temps réel des données de processus, propice au contrôle qualité, à l'analyse difficile, au développement de nouveaux processus ;
express Ce projet est un équipement clé en main, la société Pure Source fournit une solution complète, comprenant une formule de revêtement mature stable.
Champ d'application :
express Universités et instituts de recherche, fabrication de consommables industriels, industrie de l'électronique grand public, etc. ;
express Composants clés du moteur pour automobiles et véhicules diesel;
exprimer des éléments clés de l'industrie textile;
exprimer-l'industrie des outils de coupe et des équipements médicaux haut de gamme ;

Type de revêtement :
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Type de revêtement |
Plage de température de dépôt |
Microdureté (HV) |
Pouvoir liant du revêtement (N) |
Température de service maximale (degré) |
Épaisseur (μm) |
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Super-dur ta-C |
<150℃ |
4000-5500 |
Supérieur ou égal à 35N |
600 degrés (sous N2protection) |
1-2 |
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Ta-C normale |
<150℃ |
2000-4500 |
Supérieur ou égal à 35N |
350 degrés |
2-4 |
|
Ta-C épaisse |
<150℃ |
1800-2200 |
Supérieur ou égal à 35N |
350 degrés |
5.5-8 |
|
Ultra-Ta-C épais |
<150℃ |
1800-2200 |
Supérieur ou égal à 35N |
350 degrés |
20-28 |
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Contenu téléchargeable |
<120℃ |
1700-2500 |
Supérieur ou égal à 30N |
250 degrés |
2-20 |
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