Équipement à couche mince composite PVD

Équipement à couche mince composite PVD

Détails
L'équipement pour couches minces composites PVD est une plate-forme industrielle sous vide conçue pour synthétiser des couches minces multi-, alliées et graduées. Construit sur une architecture modulaire en acier inoxydable 304L/316L, il intègre jusqu'à quatre sources de dépôt indépendantes, notamment la pulvérisation magnétron DC/RF, l'évaporation par faisceau d'électrons et les sources thermiques, dans une seule chambre contrôlée par la contamination. Le système permet un contrôle précis de la microstructure du film, des contraintes résiduelles et des gradients de composition pour les lignes de production et la R&D avancée.
Classification des produits
Équipement à couche mince composite PVD
 
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Description
Paramètres techniques

L'équipement pour couches minces composites PVD est une plate-forme industrielle sous vide conçue pour synthétiser des couches minces multi-, alliées et graduées. Construit sur une architecture modulaire en acier inoxydable 304L/316L, il intègre jusqu'à quatre sources de dépôt indépendantes-y compris la pulvérisation magnétron DC/RF, l'évaporation par faisceau d'électrons et les sources thermiques-dans une seule chambre contrôlée par contamination-. Le système permet un contrôle précis de la microstructure du film, des contraintes résiduelles et des gradients de composition pour les lignes de production et la R&D avancée.

 

Spécifications techniques

 

Paramètre

Spécification

Norme/État

Pression de base ultime

<= 5.0 x 10^-6 Pa

Cryo/Turbo soutenu

Pression de service

0,1 à 5,0 Pa

Dépend du processus

Capacité du substrat

Plaquettes de φ300 mm ou substrats de 400 x 400 mm

Palettes personnalisées disponibles

Uniformité de l'épaisseur

<= ±2%

Mesuré sur toute la surface du substrat

Température du substrat

Température ambiante à 800 degrés

Contrôle PID en boucle fermée-

Ports de dépôt

4 emplacements modulaires indépendants

Sputter/E-faisceau configurable

Construction de la chambre

Acier inoxydable 304L / 316L

Électro-poli, Ra<= 0.2 μm

Distribution d'énergie

CC, RF (13,56 MHz), CC pulsé, polarisation

Sécurité automate verrouillée

 

Principales fonctionnalités


Architecture modulaire multi-source :Exécute un dépôt séquentiel ou co-à partir de quatre sources maximum en un seul cycle de vide.


Intégrité de l'aspirateur ultra-propre :Utilise des brides CF scellées en métal, des vannes pneumatiques et un pompage grossier/turbomoléculaire sans huile pour éviter la contamination par les hydrocarbures.


Biaisage dynamique du substrat :La polarisation RF/DC à fréquence variable contrôle l'énergie ionique entrante pour régir la densité, la dureté et la contrainte du film.


Contrôle automatisé des recettes :L'API et l'IHM industriels stockent jusqu'à 200 profils de processus, automatisant le pompage-, l'actionnement des volets et la ventilation.


Ports de surveillance-in situ :Les brides préconfigurées-acceptent les capteurs d'épaisseur QCM et les spectromètres d'émission optique (OES).

 

Sous-systèmes de vide et de gaz


Pile de pompage :Les pompes de dégrossissage de racines/vis sans huile, associées à des turbopompes ou à des cryopompes à lévitation magnétique, atteignent 5 x 10^-6 Pa depuis l'atmosphère en 45 minutes.


Livraison de gaz :Les contrôleurs de débit massique (MFC) régulent l'Ar, l'O2 et le N2 avec une précision de ± 1 % à pleine échelle ; les purificateurs intégrés maintiennent une pureté du gaz de 99,9999 %.


Gestion thermique :Les corps de chambre sont dotés de canaux de refroidissement à eau à double-paroi-pour stabiliser les dimensions structurelles lors des fonctionnements à haute-température.

 

Compatibilité des matériaux et des substrats

 

Matériaux pris en charge

Métaux :Ti, Cr, Al, Cu, Au, Pt, NiCr, TiAl
Diélectriques / Oxydes :SiO2, TiO2, Al2O3, Si3N4
Revêtements durs :Intercalaires TiN, TiCN, CrN, DLC

 

Compatibilité des substrats

Plaquettes de silicium (φ100 mm à φ300 mm).
Substrats optiques en silice fondue, quartz et céramique.
Aciers à outils et alliages de titane nécessitant une gravure au plasma RF pré--propre.

Applications


Semi-conducteur:Couches barrières, couches de semences et piles métalliques d'interconnexion.


Optique:Filtres d'interférence optique, revêtements antireflet-(AR) et miroirs-hautement réflecteurs.


Protection contre l'usure :Revêtements durs multi-couches pour outils de coupe et composants aérospatiaux.


Stockage d'énergie :Films minces pour-électrolytes de batteries à semi-conducteurs et collecteurs de courant.

 

Personnalisation


Géométrie de la chambre :Modifiez les dimensions internes ou les angles des ports pour les adapter au matériel existant ou aux quais de boîte à gants.


Adaptation des sources :Intégrez des caractéristiques spécifiques-des canons à faisceau électronique, des longueurs de magnétron ou des bateaux thermiques.


Intégration logicielle :Configurez la logique PLC pour qu'elle corresponde aux protocoles SCADA de l'installation ou aux normes SECS/GEM.

 

Contrôle de qualité


Détection des fuites :Tests au spectromètre de masse à l'hélium vérifiés jusqu'à 1 x 10^-10 Pa·m³/s.


Sécurité électrique :Vérification de la continuité de la terre, de la résistance d'isolement et de l'arrêt d'urgence -conformément aux normes CE/NFPA.


Pré-Exécution préalable à l'expédition :Le dépôt test en usine vérifie la pression de base, la stabilité de la source et l'uniformité de l'épaisseur ; Les fiches techniques sont livrées avec l'appareil.

 

Installation et assistance


Documentation:Schémas électriques complets, diagrammes P&ID, manuels d'utilisation des API et certificats d'étalonnage.


Acceptation en usine (FAT) :L'inspection et la validation du client s'effectuent dans notre atelier de fabrication avant la mise en caisse.


Mise en service (SAT) :Les ingénieurs sur le terrain supervisent l'alignement mécanique, les branchements des services publics et les tests d'acceptation sur site.

 

FAQ

 

Q : Quel est le délai de livraison standard du système ?

R : 16 à 24 semaines, en fonction du volume de la chambre, de la quantité de source et des exigences d'automatisation personnalisées.

Q : Le système peut-il basculer entre la pulvérisation RF et l'évaporation par faisceau E-sans rompre le vide ?

R : Oui. L'architecture multi-port permet un dépôt séquentiel automatisé sur des sources distinctes sous vide continu.

Q : Quelles connexions aux services publics sont requises sur-site ?

R : alimentation CA triphasée, eau glacée en boucle fermée (18 degrés à 22 degrés), air comprimé (0,6 MPa) et conduites de gaz de procédé dédiées.

Q : Comment la température du substrat est-elle régulée pendant le traitement ?

R : Les supports de substrat utilisent des thermocouples intégrés ou des pyromètres optiques liés à des réchauffeurs PID en boucle fermée-et à un refroidissement par conduction de gaz à l'arrière.

 

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