L'équipement pour couches minces composites PVD est une plate-forme industrielle sous vide conçue pour synthétiser des couches minces multi-, alliées et graduées. Construit sur une architecture modulaire en acier inoxydable 304L/316L, il intègre jusqu'à quatre sources de dépôt indépendantes-y compris la pulvérisation magnétron DC/RF, l'évaporation par faisceau d'électrons et les sources thermiques-dans une seule chambre contrôlée par contamination-. Le système permet un contrôle précis de la microstructure du film, des contraintes résiduelles et des gradients de composition pour les lignes de production et la R&D avancée.
Spécifications techniques
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Paramètre |
Spécification |
Norme/État |
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Pression de base ultime |
<= 5.0 x 10^-6 Pa |
Cryo/Turbo soutenu |
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Pression de service |
0,1 à 5,0 Pa |
Dépend du processus |
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Capacité du substrat |
Plaquettes de φ300 mm ou substrats de 400 x 400 mm |
Palettes personnalisées disponibles |
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Uniformité de l'épaisseur |
<= ±2% |
Mesuré sur toute la surface du substrat |
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Température du substrat |
Température ambiante à 800 degrés |
Contrôle PID en boucle fermée- |
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Ports de dépôt |
4 emplacements modulaires indépendants |
Sputter/E-faisceau configurable |
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Construction de la chambre |
Acier inoxydable 304L / 316L |
Électro-poli, Ra<= 0.2 μm |
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Distribution d'énergie |
CC, RF (13,56 MHz), CC pulsé, polarisation |
Sécurité automate verrouillée |
Principales fonctionnalités
Architecture modulaire multi-source :Exécute un dépôt séquentiel ou co-à partir de quatre sources maximum en un seul cycle de vide.
Intégrité de l'aspirateur ultra-propre :Utilise des brides CF scellées en métal, des vannes pneumatiques et un pompage grossier/turbomoléculaire sans huile pour éviter la contamination par les hydrocarbures.
Biaisage dynamique du substrat :La polarisation RF/DC à fréquence variable contrôle l'énergie ionique entrante pour régir la densité, la dureté et la contrainte du film.
Contrôle automatisé des recettes :L'API et l'IHM industriels stockent jusqu'à 200 profils de processus, automatisant le pompage-, l'actionnement des volets et la ventilation.
Ports de surveillance-in situ :Les brides préconfigurées-acceptent les capteurs d'épaisseur QCM et les spectromètres d'émission optique (OES).
Sous-systèmes de vide et de gaz
Pile de pompage :Les pompes de dégrossissage de racines/vis sans huile, associées à des turbopompes ou à des cryopompes à lévitation magnétique, atteignent 5 x 10^-6 Pa depuis l'atmosphère en 45 minutes.
Livraison de gaz :Les contrôleurs de débit massique (MFC) régulent l'Ar, l'O2 et le N2 avec une précision de ± 1 % à pleine échelle ; les purificateurs intégrés maintiennent une pureté du gaz de 99,9999 %.
Gestion thermique :Les corps de chambre sont dotés de canaux de refroidissement à eau à double-paroi-pour stabiliser les dimensions structurelles lors des fonctionnements à haute-température.
Compatibilité des matériaux et des substrats
Matériaux pris en charge
Métaux :Ti, Cr, Al, Cu, Au, Pt, NiCr, TiAl
Diélectriques / Oxydes :SiO2, TiO2, Al2O3, Si3N4
Revêtements durs :Intercalaires TiN, TiCN, CrN, DLC
Compatibilité des substrats
Plaquettes de silicium (φ100 mm à φ300 mm).
Substrats optiques en silice fondue, quartz et céramique.
Aciers à outils et alliages de titane nécessitant une gravure au plasma RF pré--propre.
Applications
Semi-conducteur:Couches barrières, couches de semences et piles métalliques d'interconnexion.
Optique:Filtres d'interférence optique, revêtements antireflet-(AR) et miroirs-hautement réflecteurs.
Protection contre l'usure :Revêtements durs multi-couches pour outils de coupe et composants aérospatiaux.
Stockage d'énergie :Films minces pour-électrolytes de batteries à semi-conducteurs et collecteurs de courant.
Personnalisation
Géométrie de la chambre :Modifiez les dimensions internes ou les angles des ports pour les adapter au matériel existant ou aux quais de boîte à gants.
Adaptation des sources :Intégrez des caractéristiques spécifiques-des canons à faisceau électronique, des longueurs de magnétron ou des bateaux thermiques.
Intégration logicielle :Configurez la logique PLC pour qu'elle corresponde aux protocoles SCADA de l'installation ou aux normes SECS/GEM.
Contrôle de qualité
Détection des fuites :Tests au spectromètre de masse à l'hélium vérifiés jusqu'à 1 x 10^-10 Pa·m³/s.
Sécurité électrique :Vérification de la continuité de la terre, de la résistance d'isolement et de l'arrêt d'urgence -conformément aux normes CE/NFPA.
Pré-Exécution préalable à l'expédition :Le dépôt test en usine vérifie la pression de base, la stabilité de la source et l'uniformité de l'épaisseur ; Les fiches techniques sont livrées avec l'appareil.
Installation et assistance
Documentation:Schémas électriques complets, diagrammes P&ID, manuels d'utilisation des API et certificats d'étalonnage.
Acceptation en usine (FAT) :L'inspection et la validation du client s'effectuent dans notre atelier de fabrication avant la mise en caisse.
Mise en service (SAT) :Les ingénieurs sur le terrain supervisent l'alignement mécanique, les branchements des services publics et les tests d'acceptation sur site.
FAQ
Q : Quel est le délai de livraison standard du système ?
R : 16 à 24 semaines, en fonction du volume de la chambre, de la quantité de source et des exigences d'automatisation personnalisées.
Q : Le système peut-il basculer entre la pulvérisation RF et l'évaporation par faisceau E-sans rompre le vide ?
R : Oui. L'architecture multi-port permet un dépôt séquentiel automatisé sur des sources distinctes sous vide continu.
Q : Quelles connexions aux services publics sont requises sur-site ?
R : alimentation CA triphasée, eau glacée en boucle fermée (18 degrés à 22 degrés), air comprimé (0,6 MPa) et conduites de gaz de procédé dédiées.
Q : Comment la température du substrat est-elle régulée pendant le traitement ?
R : Les supports de substrat utilisent des thermocouples intégrés ou des pyromètres optiques liés à des réchauffeurs PID en boucle fermée-et à un refroidissement par conduction de gaz à l'arrière.
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