Équipement à couches minces d’évaporation à l’arc

Équipement à couches minces d’évaporation à l’arc

Détails
Ce système d'évaporation à arc cathodique vaporise des cibles cathodiques solides via un arc électrique à basse -tension et à courant élevé-pour générer un plasma métallique entièrement ionisé. Comparé à l'évaporation thermique standard ou à la pulvérisation magnétron, ce processus PVD offre une densité de plasma plus élevée et une adhérence supérieure du film-au-substrat, adapté aux revêtements durs fonctionnels,-résistants à l'usure et décoratifs.
Classification des produits
Équipement à couches minces d’évaporation à l’arc
 
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Description
Paramètres techniques

Ce système d'évaporation à arc cathodique vaporise des cibles cathodiques solides via un arc électrique à basse -tension et à courant élevé-pour générer un plasma métallique entièrement ionisé. Comparé à l'évaporation thermique standard ou à la pulvérisation magnétron, ce processus PVD offre une densité de plasma plus élevée et une adhérence supérieure du film-au-substrat, adapté aux revêtements durs fonctionnels,-résistants à l'usure et décoratifs.

 

Spécifications techniques

 

Paramètre

Plage de spécifications/valeur

Dimensions de la chambre

Configurations cylindriques/boîtes personnalisées (Standard : Φ600 mm x 600 mm à 1 200 mm x 1 200 mm)

Pression de vide ultime

<= 5.0 x 10^-4 Pa (Turbo-molecular and rotary vane/roots pump suite)

Pompe-Temps d'arrêt

Atmosphérique à 8,0 x 10^-3 Pa po<= 15 minutes (Dry, clean, empty chamber)

Alimentations à arc

Générateurs pulsés et CC (Sortie : 0 - 200A ondulation réglable<= 1%)

Sources cathodiques

2 à 6 sources d'arc de direction circulaires/rectangulaires à filtre magnétique-ou standard

Tension de polarisation du substrat

0 - -1000 V CC/polarisation pulsée (Fréquence : 10 - 100 kHz)

Rotation du substrat

Mécanisme de rotation planétaire ou-à axe unique (1 - 15 tr/min) avec passages d'eau/électriques

Contrôle opérationnel

Automate + PC industriel avec exécution automatisée de recettes et dérogations manuelles de verrouillage

 

Principales fonctionnalités


Sources filtrées magnétiques :Les conduits magnétiques internes détournent les microgouttelettes non fusionnées du flux de vapeur, garantissant ainsi une faible rugosité de surface (Ra) pour les pièces de précision.


Contrôle de polarisation en boucle fermée :  Synchronized pulsed bias regulation manages ion bombardment energy dynamically, relieving residual internal stress in thick ceramic coatings (>10 um).


Taux d'ionisation élevé :L'efficacité de l'ionisation plasma atteint 40 % - 80 %, permettant une liaison chimique dense sans assistance radiofréquence externe.


Conception de chambre modulaire :Fabriqué en acier inoxydable 304/316L avec surfaces internes électro-polies (Ra<= 0.4 um), minimizing outgassing and vacuum cycle times.

 

Configuration du système de vide


Pompes d'ébauche et de racines :Les pompes à palettes rotatives à deux étages associées à des surpresseurs mécaniques gèrent l'ébauche initiale et les charges de gaz élevées lors de l'injection réactive de N2 ou de C2H2.


Pompes à vide poussé :Les turbopompes moléculaires à sustentation magnétique (1200 - 3200 L/s) maintiennent des vitesses de pompage élevées pour la vapeur d'eau résiduelle et les gaz légers.


Vannes et jauges :Vannes pneumatiques, brides d'étanchéité à vide poussé ISO/CF et jauges à ionisation combinées Pirani/cathode chaude-intégrées directement dans la boucle de verrouillage PLC.

 

Compatibilité des matériaux et des substrats


Cibles cathodiques compatibles
Métaux purs :
Ti, Cr, Al, Zr, Cu, Ni, Ag, Mo, W


Alliages et composés :TiAl, CrAl, TiSi, WC, cibles en graphite pour le dépôt de carbone de type diamant-(DLC)


Matériaux de substrat
Métaux durs et carbures :
Carbures cémentés (WC-Co), acier rapide-(HSS), plaquettes de coupe en acier inoxydable


Semi-conducteurs et céramiques :Plaquettes de silicium, alumine (Al2O3), céramiques techniques d'ingénierie

 

Applications


Outils de coupe et matrices :Dépôt de TiN, TiAlN et CrN sur les forets, les fraises en bout et les matrices d'emboutissage pour augmenter la dureté de surface à 2500 - 3500 HV et réduire la friction.


Composants automobiles :Couches-résistantes à l'usure et à faible-friction sur les segments de piston, les broches d'injecteur et les dents d'engrenage.


Revêtements durs décoratifs :Revêtements de couleur PVD (or, or rose, bronze à canon, titane noir) pour les boîtiers de matériel et d'électronique grand public.


Films minces fonctionnels :Couches conductrices et barrières pour emballages de microélectronique et de semi-conducteurs.

 

Personnalisation


Dimensionnement de la chambre :Variations de volume mises à l'échelle correspondant à des géométries de lots spécifiques et à des empreintes de production.


Hybridation des sources :Intégrations multi-cathode combinant des sources d'arc cathodiques avec des cathodes de pulvérisation magnétron déséquilibrée (UBMS) pour des films multicouches à gradient-.


Fixation du substrat :Gabarits planétaires personnalisés, réseaux de chauffage localisés jusqu'à 600 degrés et traversées de puissance personnalisées.


Intégration logicielle :Logique de recette API personnalisée, enregistrement des données SCADA et configurations de conformité industrielle.

 

Contrôle de qualité


Détection des fuites :Tests par spectromètre de masse à l'hélium sur toutes les chambres et cordons de soudure, garantissant un taux de fuite global de<= 1.0 x 10^-9 Pa·m^3/s.


Inspection de sécurité électrique :Tests de tenue diélectrique à haut potentiel-, contrôles de continuité de mise à la terre et vérification de la réponse de verrouillage avant la mise en caisse.


Traçabilité des matériaux :Rapports de tests de matériaux (MTR) fournis pour l'acier inoxydable structurel, les joints sous vide et les composants d'isolation haute -tension.


Essai préalable à l'expédition :Test de fonctionnement à sec continu de 72 {{1} heures de l'ensemble de pompage, des entraînements de rotation et des alimentations électriques selon des cycles simulés.

 

Installation et assistance technique


Guide de préparation du site :Utilities documentation covering floor load limits, cooling water flow rates (>15 m^3/h à 20 - 25 degrés), extraction des gaz d'échappement et chutes électriques (380 V/480 V, triphasé, 50/60 Hz).


Mise en service et réception :Tests d'acceptation en usine (FAT) dans nos installations ; Tests d'acceptation sur site (SAT) et transfert de processus exécutés sur-site par des ingénieurs résidents.


Prise en charge du cycle de vie :Diagnostics à distance VPN sécurisés, stockage des pièces de rechange (cibles, boucliers, sceaux) et formation de maintenance des techniciens locaux.

 

FAQ

 

Q : Comment le système minimise-t-il la formation de gouttelettes (macroparticules) inhérente à l’évaporation de l’arc ?

R : Le système utilise des sources d’arc cathodique à filtrage magnétique (orientation magnétique et filtrage des conduits). Cela courbe le flux de plasma tout en piégeant les microgouttelettes sur des déflecteurs internes, produisant ainsi une morphologie de film lisse et sans gouttelettes-.

Q : Quelle est la plage de température du substrat pendant le dépôt et comment la chaleur est-elle gérée ?

R : Les températures de fonctionnement varient de 150 degrés à 500 degrés. Les radiateurs à rayonnement intégrés et les canaux de refroidissement à eau en boucle fermée--à l'intérieur du support de substrat empêchent la distorsion thermique des composants sensibles.

Q : L’équipement peut-il exécuter des cycles de production automatisés en continu ?

R : Oui. L'architecture PLC automatise le pompage-, le conditionnement de la cible, l'allumage de l'arc, le contrôle des gaz réactifs via des contrôleurs de débit massique (MFC) et les séquences de ventilation sur plusieurs-exécutions par lots.

Q : Quelles exigences en matière de services publics doivent être prêtes sur-site avant la livraison ?

R : Les exigences incluent une alimentation stable en eau glacée, de l'air comprimé (0.6 - 0.8 MPa) pour les vannes pneumatiques, des alimentations électriques correspondant à la charge du système (60 - 120 kVA) et des conduites de gaz de procédé régulées (Argon, Azote, Acétylène).

 

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