Équipement composite de dépôt sous vide PVD

Équipement composite de dépôt sous vide PVD

Détails
Cette plate-forme industrielle de dépôt sous vide de composites PVD intègre plusieurs techniques de dépôt dans un environnement à chambre unique pour déposer des films minces uniformes et multicouches métalliques, en alliage ou diélectriques. Les architectures standards permettent le traitement par lots de substrats jusqu'à 400 mm x 400 mm, avec des géométries de chambre personnalisées disponibles pour la manipulation de rouleaux-à-ou de composants 3D.
Classification des produits
Équipement composé de couche mince de PVD
 
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Description
Paramètres techniques

Cette plate-forme industrielle de dépôt sous vide de composites PVD intègre plusieurs techniques de dépôt dans un environnement à chambre unique pour déposer des films minces uniformes et multicouches métalliques, en alliage ou diélectriques. Les architectures standards permettent le traitement par lots de substrats jusqu'à 400 mm x 400 mm, avec des géométries de chambre personnalisées disponibles pour la manipulation de rouleaux-à-ou de composants 3D.

 

Spécifications techniques

 

Paramètre

Norme de spécification

Mise à niveau facultative/gamme personnalisée

Pression de base ultime

< 5.0 x 10^-5 Pa

< 1.0 x 10^-6 Pa (Cryopump configuration)

Pompe-Temps d'arrêt

< 15 min (To 1.0 x 10^-3 Pa)

Jusqu'à 8 minutes avec l'intégration turbo-moléculaire

Matériau de la chambre

Acier inoxydable 304L (électro-poli)

Acier inoxydable 316L / doublures de blindage intérieures

Taille du luminaire de substrat

Support plat de 300 mm x 300 mm

Jusqu'à 600 mm de diamètre ou entraînements planétaires personnalisés

Uniformité du film

+/- 3 % sur la surface du substrat standard

+/- 1.5 % avec masquage et rotation du substrat optimisés

Sources de dépôt

2 x évaporation thermique + 2 x pulvérisation magnétron

Jusqu'à 6 configurations de sources-mixtes (RF/DC/Thermique)

Alimentation

CC : 5 kW ; RF : 13,56 MHz, 3 kW

Générateurs CC pulsés et moyenne fréquence (MF)

 

Principales fonctionnalités


Intégration multi-source :Combine l'évaporation thermique et la pulvérisation magnétron en un seul cycle de pompage-, empêchant l'oxydation de l'interface et réduisant le temps de manipulation.


Contrôle de l'épaisseur de la boucle fermée : S'interface directement avec les capteurs de microbalance à cristal de quartz (QCM) et les systèmes de surveillance optique pour contrôler les taux de dépôt en temps réel.


Architecture de chambre modulaire :Les ports à bride permettent une mise à niveau rapide de sources d'évaporation ou de canons à ions supplémentaires sans-réusiner le corps de la chambre principale.


Capacité de polarisation du substrat :Les alimentations à polarisation RF/CC assurent un nettoyage par bombardement ionique avant le dépôt, augmentant ainsi l'adhérence du film sur les substrats métalliques et céramiques difficiles.


Séquençage automatisé des processus :La gestion des recettes contrôlées par PLC-gère les vannes à vanne, les contrôleurs de débit massique (MFC), la montée en puissance et l'actionnement des volets pour éliminer les variations induites par l'opérateur-.

 

Configuration du système de vide


Le sous-système de vide est structuré pour minimiser les temps de cycle et gérer les charges de dégazage provenant de diverses matières premières :


Pompes d'ébauche et de racines :Les pompes à vis sèches éliminent les risques de reflux d'huile et répondent aux exigences ISO classe 4 des salles blanches.


Pompes à vide-élevées : Combination of magnetically levitated turbo-molecular pumps (slot speed >= 1600 L/s) et des cryopompes en option pour une capacité de pompage de vapeur d'eau- élevée.


Surveillance de la pression :Configuration de jauge à double plage- (jauges Pirani pour l'ébauche ; jauges à ionisation/Penning pour le vide poussé) verrouillées avec des soupapes de sécurité pour empêcher la contamination atmosphérique des filaments.


Détection des fuites :Fuite d'hélium-vérifiée à un seuil < 1,0 x 10^-9 Pa·m^3/s avant acceptation en usine.

 

Matériaux d'évaporation et compatibilité des substrats


Matériaux d'évaporation :
Métaux :
Al, Cu, Ti, Cr, Ni, Au, Ag, Pt.


Alliages :NiCr, TiAl, cibles en acier inoxydable.


Diélectriques / Oxydes :SiO2, TiO2, Al2O3, ITO (par pulvérisation réactive ou intégration de faisceaux d'électrons).


Compatibilité des substrats :
Plaquettes semi-conductrices :
Silicium, GaAs jusqu'à 300 mm.


Substrats optiques :Verres optiques, quartz et saphir.


Plastiques techniques :PI, PET, PC via une gestion thermique à basse-température.


Substrats métalliques :Feuilles métalliques et composants métalliques emboutis.

 

Applications


Optoélectronique :Dépôt d'oxydes conducteurs transparents (ITO) et de-multicouches antireflet-pour écrans tactiles et fenêtres de capteurs.


Électronique de puissance :Formation de contacts ohmiques à faible-résistance et de couches barrières sur des substrats de silicium et de semi-conducteurs à large-bande interdite.


Revêtements fonctionnels :Revêtements métalliques décoratifs et résistants à l'usure sur les fixations industrielles, les implants médicaux et le matériel grand public.

 

Options de personnalisation


Les configurations des équipements sont adaptées aux contraintes spécifiques de fabrication :


Dimensionnement de la chambre :Évolué depuis les unités de R&D de paillasse (cube de 400 mm) jusqu'aux systèmes de production à haute -capacité (chambres cylindriques/boîtes de 1 200 mm).


Charger l'intégration du-verrouillage :Configuration de chargement manuel-à une seule extrémité ou de verrouillage de chargement à double-chambre-pour maintenir l'intégrité du vide élevé dans la zone de dépôt principale pendant les cycles de chargement continus.


Gestion thermique : Étages de substrat-refroidis à l'eau et chauffés (jusqu'à 600 degrés) ou tables de refroidissement de substrat cryogénique.


Interface de contrôle :Intégration avec les réseaux SCADA ou MES d'usine via les protocoles SECS/GEM ou Modbus TCP.

 

Contrôle qualité et tests en usine


Chaque unité est soumise à une vérification rigoureuse avant expédition :


Test d'intégrité du vide :Audit de détection de fuites par spectromètre de masse à hélium en continu de 48 heures.


Test de sécurité électrique :Tests de résistance d'isolation, de tenue diélectrique et de continuité de mise à la terre conformes aux directives de sécurité CE/UL.


Fonctionnement à sec :Cycle automatisé continu de 72 heures de tous les volets mécaniques, contrôleurs de débit massique et générateurs d'énergie.


Exécution d'acceptation du processus :Test d'acceptation en usine (FAT) exécuté à l'aide de matériaux cibles-spécifiés par le client pour vérifier la stabilité du taux de dépôt et l'uniformité de l'épaisseur.

 

Installation et assistance technique


Dossier de documentation :Produits livrables d'ingénierie complets, notamment des diagrammes P&ID, des schémas électriques, une architecture logique source d'API et des manuels de maintenance utilisateur.


Sur-Mise en service sur site :Les ingénieurs de service sur site supervisent le montage, les branchements des salles blanches, la validation des services publics (eau de refroidissement, CDA, électricité) et les tests d'acceptation sur site (SAT).


Formation des opérateurs :Formation pratique structurée-couvrant la maintenance de routine, le dépannage du vide et la modification de recettes pour les ingénieurs de procédés.


Disponibilité des pièces de rechange :Composants critiques (kits de joints, doublures de blindage, filaments, cristaux QCM) stockés pour expédition directe.

 

Foire aux questions

 

Q : Quelle est la température maximale du substrat atteinte lors d’un cycle de dépôt standard ?

R : Sans refroidissement ou chauffage actif du substrat, le rayonnement des sources d'évaporation thermique augmente généralement la température du substrat de 30 à 50 degrés. Des supports de substrat refroidis à l'eau-sont disponibles pour maintenir la température du substrat en dessous de 40 degrés pour les films polymères-sensibles à la température.

Q : Le système peut-il basculer entre la pulvérisation réactive et l’évaporation thermique au cours du même cycle ?

R : Oui. Le gestionnaire de recettes PLC coordonne l'injection de gaz via des contrôleurs de débit massique (par exemple, O2 ou N2 pour les processus réactifs) ainsi que l'activation de l'alimentation électrique pour les cathodes de pulvérisation et la rampe de courant pour les bateaux thermiques, permettant un empilement multicouche - sans casser le vide.

Q : Quelles sont les exigences utilitaires requises pour les configurations de chambre standard ?

A: Standard requirements include 3-phase 380V/480V AC (+/- 10%), 50/60Hz; clean dry air (CDA) at 0.5 to 0.7 MPa for pneumatic valves; chilled cooling water supply (>= 30 L/min à 15 à 20 degrés ); et une ventilation d'échappement locale pour les échappements de la pompe de refoulement.

Q : Comment la contamination croisée-est-elle gérée entre les différentes sources d'évaporation ?

R : Chaque position de source comporte des obturateurs pneumatiques individuels et des déflecteurs de blindage internes physiques. L'espacement entre les-sources et le blindage directionnel empêchent le flux croisé de matériaux-sur les sources adjacentes lors de la co-évaporation ou d'exécutions séquentielles de plusieurs-matériaux.

 

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