Équipement à couches minces multi--procédés PVD

L'équipement à couches minces multi--processus PVD est une plate-forme intégrée de dépôt sous vide conçue pour combiner plusieurs -techniques de fabrication de couches minces-y compris la pulvérisation magnétron RF/DC, l'évaporation thermique et l'évaporation par faisceau d'électrons-au sein d'une architecture sous vide unifiée.

Ce système élimine la contamination par rupture de vide entre des couches de processus distinctes, permettant le dépôt de films métalliques, diélectriques et semi-conducteurs multicouches complexes sans exposition ambiante. Configuré pour les clusters de R&D en laboratoire ou la production en ligne pilote-, il accepte des substrats jusqu'à 300 mm de diamètre ou des supports personnalisés.

Architecture de vide modulaire :Des chambres de traitement indépendantes couplées via des vannes à vanne empêchent la contamination croisée entre la pulvérisation réactive et l'évaporation sous vide poussé.

Dans-Transfert de substrat sous vide :Des bras de transfert magnétiques ou linéaires maintiennent un vide poussé (< 10^-4 Pa) during inter-chamber sample movement.

Brides sources à changement rapide :Les cathodes de pulvérisation et les creusets à faisceau électronique-sont montés sur des brides CF standard pour une maintenance et un remplacement de cible rapides.

Piégeage cryogénique avancé :Les pièges froids à azote liquide intégrés et les pièges Meissner minimisent la pression résiduelle de vapeur d'eau à l'intérieur de la chambre.

Surveillance de l'épaisseur de boucle fermée :Les capteurs à double microbalance à cristal de quartz (QCM) fournissent-des informations en temps réel sur le taux de dépôt et l'épaisseur directement liées à la régulation de l'alimentation électrique.

Étape d'ébauche :Pompes à spirale sans huile-associées à des-surpresseurs de racines à plusieurs étages pour éliminer le reflux d'hydrocarbures-.

Étape de vide poussé :Backed by magnetically levitated turbo-molecular pumps (>1 200 L/s pour N2) et des cryopompes en option pour un débit élevé de vapeur d'eau-.

Régulation de pression :Manomètres capacitifs Baratron pour la mesure de la pression absolue indépendante des espèces de gaz, associés à des papillons automatisés pour un contrôle précis de la pression du gaz de procédé (0,1 Pa à 10 Pa).

Détection des fuites :Fuite d'hélium-testée à < 1 x 10^-9 Pa*m^3/s avant les tests d'acceptation en usine (FAT).

Cibles conductrices :Au, Ag, Cu, Al, Ti, Cr, ITO, AZO, Mo, W, NiCr.

Matériaux diélectriques :SiO2, TiO2, Al2O3, Ta2O5, HfO2 (par pulvérisation réactive ou faisceau électronique -).

Types de substrat :
Plaquettes semi-conductrices (silicium, arséniure de gallium, phosphure d'indium).

Ebauches optiques (Silice fondue, BK7, Saphir).

Bandes flexibles et tôles fines (Polyimide, feuille d'acier inoxydable).

Optoélectronique :Dépôt de couches d'oxyde conducteur transparent (TCO) et d'empilements de filtres optiques antireflet (AR).

Fabrication de dispositifs semi-conducteurs :Formation de contacts ohmiques, de barrières Schottky, de couches de germes pour la galvanoplastie et de barrières de diffusion (Ti/TiN).

Fabrication de capteurs :Jauges de contrainte métalliques à couche mince-, éléments micro-chauffants et transducteurs piézoélectriques.

R&D avancée :Synthèse exploratoire de couches minces multi-couches-pour les composants d'informatique quantique et les nouveaux matériaux de stockage d'énergie.

Géométrie de la chambre :Dimensions de la chambre d'expansion pour les substrats par lots non-standard ou surdimensionnés.

Intégration des sources :Rapports d'allocation personnalisés entre les pistolets de pulvérisation magnétron et les poches d'évaporation du faisceau d'électrons.

Pulvérisation polarisée :Options de polarisation RF/DC du substrat pour la densification du film et le contrôle des contraintes.

Charger l'intégration du-verrouillage :Ajout de sas de chargement automatisés-pour maintenir l'intégrité du vide élevé pendant les cycles de chargement-à haut débit.

Traçabilité des matériaux :Certificats de test d'usine (MTC) fournis pour tous les composants et cadres structurels en acier inoxydable côté vide-.

Assemblage en salle blanche :Intégration finale et vérification du nombre de particules-effectuées dans un environnement de salle blanche ISO classe 6.

Tests d'acceptation en usine (FAT) :Test d'étuvage sous vide continu de 72- heures, test de fuite via spectrométrie de masse avec analyseur de gaz résiduel (RGA) et test de dépôt de film de base vérifiant l'uniformité de l'épaisseur.

Guide de préparation du site :Comprehensive utility mapping provided pre-shipment, detailing chilled water flow rates (>15 L/min), l'air comprimé, les conduites de gaz de procédé (Ar, O2, N2 à une pureté de 99,999 %) et les exigences de charge électrique (triphasé 380 V/480 V).

Mise en service :{{0}Installation sur site, étalonnage du vide et tests conjoints-exécutés par les ingénieurs de service sur site de l'usine.

Formation des opérateurs :Formation structurée sur site de 5 -jours couvrant la maintenance de routine, les protocoles de sécurité sous vide, la programmation de recettes et le dépannage de base.