Système de dépôt de couches minces hybrides PVD

Le système de dépôt de couches minces hybrides PVD intègre l'évaporation thermique, l'évaporation par faisceau d'électrons (faisceau électronique) et la pulvérisation magnétron RF/DC au sein d'une seule architecture sous vide. Cette plate-forme permet le dépôt séquentiel ou co-de métaux, d'alliages et de diélectriques sans rompre le vide, empêchant ainsi l'oxydation interfaciale. Conçu pour les institutions de R&D et les lignes de production pilotes, le système gère des substrats jusqu'à 6 pouces avec une rotation multi-axes automatisée-.

Prises modulaires :Les brides de source interchangeables permettent une reconfiguration rapide entre les cathodes de pulvérisation et les évaporateurs à faisceaux thermiques/électriques.

Architecture d'isolement :Des vannes pneumatiques isolent la chambre de traitement de la pile à vide poussé-pour minimiser la génération de particules.

-Surveillance in situ :Ports dédiés aux capteurs de microbalance à cristal de quartz (QCM) et à la spectroscopie d'émission optique (OES).

Automate de sécurité verrouillé :Les verrouillages matériels empêchent l'activation de la source en cas de haute pression, de panne d'eau de refroidissement ou de violations de sécurité.

Pompe grossière :Pompe à spirale sèche (30 m^3/h) pour éliminer le reflux d'hydrocarbures.

Pompe à vide poussé :Pompe turbomoléculaire à lévitation magnétique (1200 L/s pour N2) adossée à un piège cryogénique.

Jauges :Capteurs Pirani et à cathode froide combinés couvrant une atmosphère jusqu'à 10^-7 Pa.

Cuisson :Vestes chauffantes à cartouche avec couvertures isolantes externes atteignant jusqu'à 150 °C.

Matériaux d'évaporation :
Métaux :Au, Ag, Al, Ti, Cr, Pt, Cu, Ni

Diélectriques et oxydes: SiO2, TiO2, Al2O3, ITO

Semi-conducteurs :Si, Ge

Types de substrat :Plaquettes de silicium monocristallin-, verre, quartz, films de polyimide et feuilles métalliques.

Dispositifs optoélectroniques :Électrodes conductrices transparentes (ITO) et réflecteurs multi-couches pour OLED et cellules solaires.

Emballage microélectronique :Sous-métallisation par bossage (UBM) et couches de départ pour le conditionnement au niveau de la tranche-.

R&D avancée :Structures de dispositifs quantiques, films minces supraconducteurs et jonctions tunnel magnétiques (MTJ).

Échelle de chambre :Dimensions étendues pour substrats de 12 pouces ou intégration dans une boîte à gants.

Configuration des sources :Volumes de creuset personnalisés, alimentations à polarisation RF et modules de dépôt assisté par ions (IAD).

Automation:Gestion des recettes par écran tactile ou conformité totale de l'automatisation d'usine SECS/GEM.

Test de fuite :Tests au spectromètre de masse à l'hélium par chambre (< 1 x 10^-10 Pa*m^3/s threshold).

Contrôles dimensionnels :Vérification CMM des distances source-à-du substrat et des tolérances des brides.

Tests électriques :Tests Hi-Pot, contrôles de continuité de mise à la terre et audits EHS sur toutes les lignes-haute tension.

Tests d'acceptation en usine (FAT) :Vérifications avant-expédition de la pression de base, de la fonctionnalité de la source et du cycle automatisé dans nos installations.

Installation sur le terrain :Alignement mécanique sur-site, vérification du branchement des services publics et tests d'acceptation du site (SAT).

Documentation:La livraison complète comprend des schémas électriques, des diagrammes P&ID, des sauvegardes PLC et des certificats de test d'usine.